MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 314 A, 8 Pin, PG-HSOF-8-1, Superficie IAUTN12S5N017ATMA1
- Codice RS:
- 284-667
- Codice costruttore:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 3,18 € | 6.360,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-667
- Codice costruttore:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 314A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 120V | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8-1 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 358W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 314A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 120V | ||
Tipo di package PG-HSOF-8-1 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 358W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza per uso automobilistico Infineon OptiMOS 5 è progettato per prestazioni robuste in applicazioni impegnative. Con la tecnologia OptiMOS 5, eccellono in termini di efficienza e affidabilità, il che lo rende una scelta ideale per le soluzioni di gestione dell'alimentazione automobilistica. La struttura della modalità di potenziamento del canale N fornisce funzionalità di alto livello aderendo allo stesso tempo a rigorosi standard industriali. Progettato per resistere a condizioni estreme, questo transistor di potenza garantisce l'operabilità fino a 175 °C e offre una qualificazione estesa oltre l'AEC Q101.
Ottimizzato per la compatibilità automobilistica
I test migliorati garantiscono prestazioni affidabili
Design robusto con gestione termica avanzata
Il valore nominale MSL1 supporta il riflusso di picco a 260 °C
Conforme a RoHS per iniziative eco-compatibili
Il test a valanga conferma la resilienza ai transienti
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