MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 331 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT017N12NM6ATMA1

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Codice RS:
284-688
Codice costruttore:
IPT017N12NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

331A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

395W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 6 che stabilisce un nuovo parametro di riferimento per le prestazioni nel settore dei semiconduttori. Progettato per garantire un'elevata efficienza e un'eccezionale gestione termica, questo prodotto eccelle nelle applicazioni più impegnative. Con un design robusto che supporta 120 V, è stato progettato per la commutazione ad alta frequenza, offrendo affidabilità e velocità senza compromettere l'efficienza energetica. Il MOSFET a canale N integra una resistenza di accensione molto bassa e una carica di gate minima, il che lo rende una soluzione ideale per la conversione di potenza e il controllo in ambienti industriali. L'ingegneria avanzata garantisce la conformità con RoHS e altri standard ambientali, il che lo rende una scelta sostenibile e orientata alle prestazioni per l'elettronica moderna.

Ottimizzato per prestazioni ad alta frequenza

Eccellente efficienza termica per l'affidabilità

La bassa resistenza riduce le perdite di energia

Carica veloce del cancello per operazioni rapide

Qualificato per le prestazioni industriali

Rispettoso dell'ambiente per la sostenibilità

Gestisce in modo sicuro l'alta energia delle valanghe

Ampia gamma di temperature d'esercizio

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