MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 190 mΩ Miglioramento, 10 A, 8 Pin, LSON, Superficie IGLD60R190D1AUMA3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
232-0419
Codice costruttore:
IGLD60R190D1AUMA3
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

CoolGaN

Tipo di package

LSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza in modalità potenziata Infineon 600V offre una rapida velocità di accensione e spegnimento, perdite di commutazione minime e consente topologie half-bridge semplici con la massima efficienza. Il nitruro di gallio CoolGaN serie 600V è qualificato in base a una qualifica completa su misura GAN ben oltre gli standard esistenti. Migliora l'efficienza del sistema, migliora la densità di potenza e consente una frequenza di funzionamento più elevata.

Commutazione ultraveloce

Nessun addebito di recupero inverso

In grado di conduzione inversa

Bassa carica di gate, bassa carica di uscita

Eccellente robustezza di commutazione

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