MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 190 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IGT60R190D1SATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4638
Codice costruttore:
IGT60R190D1SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

HSOF

Serie

CoolGaN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. La serie Cool MOS™ P6 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. I dispositivi offerti offrono tutti i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso. Le perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, più compatte, più leggere e più fredde.

Maggiore robustezza del MOSFET dv/dt

Perdite estremamente basse dovute a FOM Rdson*Qg e Eoss molto bassi

Robustezza di commutazione molto elevata

Placcatura senza piombo composto di stampo privo di alogeni

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