MOSFET Infineon, canale N 600 V, 28 mΩ Miglioramento, 75 A, 8 Pin, HSOF, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

19.158,00 €

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Codice RS:
222-4937
Codice costruttore:
IPT60R028G7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPT60R

Tipo di package

HSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

391W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

800mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

123nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.4mm

Larghezza

10.58mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS™ C7 Gold (G7) unisce i vantaggi della tecnologia migliorata CoolMOS 600V C7 Gold™, La capacità della sorgente Kelvin 4pin e le proprietà termiche migliorate del contenitore senza terminali (A PEDAGGIO) consentono una possibile soluzione SMD per topologie di commutazione rigida a corrente elevata, come la correzione del fattore di potenza (PFC) fino a 3kW e per circuiti risonanti come High End LLC.

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