MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 80 mΩ Miglioramento, 29 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IPT60R080G7XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4940
Codice costruttore:
IPT60R080G7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

HSOF

Serie

IPT60R

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

10.58 mm

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS™ C7 Gold (G7) unisce i vantaggi della tecnologia migliorata CoolMOS 600V C7 Gold™, La capacità della sorgente Kelvin 4pin e le proprietà termiche migliorate del contenitore senza terminali (A PEDAGGIO) consentono una possibile soluzione SMD per topologie di commutazione rigida a corrente elevata, come la correzione del fattore di potenza (PFC) fino a 3kW e per circuiti risonanti come High End LLC.

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