MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 102 mΩ Miglioramento, 23 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IPT60R102G7XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4426
Codice costruttore:
IPT60R102G7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

HSOF

Serie

600V CoolMOS G7 SJ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

102mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

141W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10.1mm

Larghezza

10.58 mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET Infineon 600V Cool MOS G7 SJ unisce i vantaggi della migliore tecnologia C7 Cool MOS™ 600V Gold, Capacità della sorgente Kelvin 4pin e migliori proprietà termiche del contenitore senza terminali (A PEDAGGIO) per consentire una possibile soluzione SMD per topologie di commutazione difficile ad alta corrente come la correzione del fattore di potenza (PFC)

Consente il miglior R DS(on) della categoria con un ingombro minimo

Ha fornito una riduzione dei costi di produzione

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