MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 23 A, 8 Pin, HSOF, Superficie

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Codice RS:
219-6012
Codice costruttore:
IPT60R150G7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

HSOF

Serie

C7 GOLD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

106W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

10.58 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.1mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS C7 Gold (G7) unisce i vantaggi della tecnologia migliorata CoolMOS™ C7 Gold 600V, La capacità della sorgente Kelvin 4pin e le proprietà termiche migliorate del contenitore senza terminali (A PEDAGGIO) consentono una possibile soluzione SMD per topologie di commutazione rigida a corrente elevata, come la correzione del fattore di potenza (PFC) fino a 3kW e per circuiti risonanti come High End LLC.

Garantisce il miglior FOM R DS(on)XE oss e R DS(on)XQ G

Consente R DS(on) migliore della categoria con un ingombro minimo

Configurazione della sorgente Kelvin a 4 pin integrata e bassa induttanza della sorgente parassita (∼1NH)

Conforme a MSL1, totale senza piombo, presenta puntali scanalati per una facile ispezione Visual

Prestazioni termiche migliorate R th

Maggiore efficienza grazie alla tecnologia C7 Gold migliorata e alla commutazione più veloce

Maggiore densità di potenza grazie alla bassa R DS(on) in ingombro ridotto, sostituendo i contenitori TO-package (limitazioni di altezza) o i contenitori SMD in parallelo a causa dei requisiti termici o R DS(on)

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