MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.054 Ω Miglioramento, 38 A, 16 Pin, PG-HDSOP-16, Superficie IGLT65R045D2ATMA1

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Codice RS:
351-887
Codice costruttore:
IGLT65R045D2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IGLT65

Tipo di package

PG-HDSOP-16

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.054Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Dissipazione di potenza massima Pd

124W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto TOLT raffreddato dall'alto, è progettato per una dissipazione di potenza ottimale in varie applicazioni industriali.

Transistor di potenza e-mode da 650 V

Commutazione ultraveloce

Nessuna carica di recupero inversa

Capacità di conduzione inversa

Bassa carica di gate, bassa carica di uscita

Robustezza di commutazione superiore

Basso valore dinamico di RDS(on)

Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Pacchetto raffreddato sul lato superiore

Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)

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