MOSFET Infineon, canale Tipo N, 68 A 650 V, PG-HDSOP-16, Superficie Miglioramento, 16 Pin IMLT65R033M2HXTMA1

Codice RS:: 351-949
Codice costruttore:: IMLT65R033M2HXTMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N, 68 A 650 V, PG-HDSOP-16, Superficie Miglioramento, 16 Pin IMLT65R033M2HXTMA1

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Codice RS:: 351-949
Codice costruttore:: IMLT65R033M2HXTMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	68A
	Potenza di uscita	312W
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	PG-HDSOP-16
	Serie	IMLT65
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	16
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	2.35mm
	Larghezza	10.3 mm
	Standard/Approvazioni	JEDEC
	Lunghezza	10.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 68A
	Potenza di uscita 312W
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package PG-HDSOP-16
	Serie IMLT65
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 16
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 2.35mm
	Larghezza 10.3 mm
	Standard/Approvazioni JEDEC
	Lunghezza 10.1mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IMLT65R033M2HXTMA1

Paese di origine:: MY

Il MOSFET discreto CoolSiC Generation 2 (G2) di Infineon in TOLT sfrutta le migliori prestazioni di commutazione della categoria G2, consentendo al contempo tutti i vantaggi del raffreddamento top-side. Grazie a questa integrazione del pacchetto Q-DPAK, è ora possibile implementare una soluzione di raffreddamento top-side discreta, ottenendo migliori prestazioni termiche, riduzione e semplificazione dei costi di sistema e un assemblaggio più economico.

Consente di risparmiare sulla distinta base

Massima affidabilità

Consente di ottenere la massima efficienza e densità di potenza

La soluzione semplifica il montaggio e il raffreddamento

Predisposizione per il raffreddamento a liquido

Consente di realizzare progetti senza ventola o dissipatore di calore

Valori più bassi di induttanza parassita

Migliore controllo del gate

MOSFET Infineon, canale Tipo N, 68 A 650 V, PG-HDSOP-16, Superficie Miglioramento, 16 Pin IMLT65R033M2HXTMA1

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