MOSFET Infineon, canale Tipo N, 68 A 650 V, PG-HDSOP-16, Superficie Miglioramento, 16 Pin IMLT65R033M2HXTMA1

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Codice RS:
351-949
Codice costruttore:
IMLT65R033M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

68A

Potenza di uscita

312W

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-HDSOP-16

Serie

IMLT65

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

16

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC

Larghezza

10.3 mm

Altezza

2.35mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET discreto CoolSiC Generation 2 (G2) di Infineon in TOLT sfrutta le migliori prestazioni di commutazione della categoria G2, consentendo al contempo tutti i vantaggi del raffreddamento top-side. Grazie a questa integrazione del pacchetto Q-DPAK, è ora possibile implementare una soluzione di raffreddamento top-side discreta, ottenendo migliori prestazioni termiche, riduzione e semplificazione dei costi di sistema e un assemblaggio più economico.

Consente di risparmiare sulla distinta base

Massima affidabilità

Consente di ottenere la massima efficienza e densità di potenza

La soluzione semplifica il montaggio e il raffreddamento

Predisposizione per il raffreddamento a liquido

Consente di realizzare progetti senza ventola o dissipatore di calore

Valori più bassi di induttanza parassita

Migliore controllo del gate