MOSFET Infineon, canale N 650 V, 0.066 Ω Miglioramento, 31 A, 16 Pin, PG-HDSOP-16, Superficie IGLT65R055D2ATMA1
- Codice RS:
- 351-886
- Codice costruttore:
- IGLT65R055D2ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
6,65 €
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,65 € |
| 10 - 99 | 5,98 € |
| 100 - 499 | 5,50 € |
| 500 - 999 | 5,12 € |
| 1000 + | 4,58 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 351-886
- Codice costruttore:
- IGLT65R055D2ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 31A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | IGLT65 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 16 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.066Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 102W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 31A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PG-HDSOP-16 | ||
Serie IGLT65 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 16 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.066Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 102W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET Infineon serie IGLT65, tensione sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 31 A - IGLT65R055D2ATMA1
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua di 31 A consente una gestione del carico sostanziale
• Rds(on) di 0,066 Ω riduce le perdite di conduzione nelle fasi di potenza
• La dissipazione di potenza di 102 W consente una maggiore resa termica
• La carica di gate tipica di 4.7 nC migliora l'efficienza di commutazione
• Il limite gate-sorgente 10 V consente tensioni di azionamento gate standard
Applicazioni
• Utilizzato con moduli di commutazione motori-azionamenti industriali
• Ideale per gli alimentatori di commutazione nelle apparecchiature di fabbrica
• Può essere utilizzato per circuiti di morsetto e snubber nei rack di alimentazione
• Utilizzato per la sostituzione di relè ad alta tensione nei pannelli di controllo
Quali temperature estreme può sopportare durante il funzionamento?
Quale numero di pin e stile di montaggio devono essere considerati per il layout del circuito stampato?
In che modo la specifica del gate influisce sulla selezione del driver?
È conforme alle norme automobilistiche per l'uso nei veicoli?
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