MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.066 Ω Miglioramento, 31 A, 16 Pin, PG-HDSOP-16, Superficie IGLT65R055D2ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

7,62 €

(IVA esclusa)

9,30 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 11 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 97,62 €
10 - 996,86 €
100 - 4996,32 €
500 - 9995,87 €
1000 +5,26 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
351-886
Codice costruttore:
IGLT65R055D2ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IGLT65

Tipo di package

PG-HDSOP-16

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.066Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

102W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto TOLT raffreddato dall'alto, è progettato per una dissipazione di potenza ottimale in varie applicazioni industriali.

Transistor di potenza e-mode da 650 V

Commutazione ultraveloce

Nessuna carica di recupero inversa

Capacità di conduzione inversa

Bassa carica di gate, bassa carica di uscita

Robustezza di commutazione superiore

Basso valore dinamico di RDS(on)

Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Pacchetto raffreddato sul lato superiore

Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)

Link consigliati