MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 14.5 mΩ Miglioramento, 142 A, 16 Pin, PG-HDSOP-16, Superficie IMLT65R015M2HXTMA1
- Codice RS:
- 349-047
- Codice costruttore:
- IMLT65R015M2HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-047
- Codice costruttore:
- IMLT65R015M2HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 142A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 16 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 14.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 600W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 148nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 142A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 16 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 600W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 148nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET G2 CoolSiC Infineon da 650 V è realizzato sulla base della robusta tecnologia trench al carburo di silicio di seconda generazione di Infineon, che offre prestazioni ineguagliabili, affidabilità superiore ed eccellente facilità d'uso. Progettato per soddisfare le esigenze dei moderni sistemi di alimentazione, questo MOSFET consente di realizzare progetti economici, altamente efficienti e semplificati. È la soluzione ideale per soddisfare le esigenze sempre crescenti dei sistemi e dei mercati dell'energia, offrendo prestazioni elevate ed efficienza energetica per un'ampia gamma di applicazioni.
Perdite di commutazione bassissime
Prodotto affidabile contro l'accensione parassita grazie anche a una tensione di gate di spegnimento di 0 V
Tensione di pilotaggio flessibile e compatibile con lo schema di pilotaggio bipolare
Funzionamento robusto del diodo intrinseco in presenza di eventi di commutazione difficili
La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria