MOSFET Infineon, canale N 650 V, 0.14 Ω Miglioramento, 15 A, 16 Pin, PG-HDSOP-16, Superficie IGLT65R110D2ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

8,76 €

(IVA esclusa)

10,68 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 26 febbraio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 184,38 €8,76 €
20 - 1983,945 €7,89 €
200 - 9983,635 €7,27 €
1000 - 19983,365 €6,73 €
2000 +3,025 €6,05 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
351-885
Codice costruttore:
IGLT65R110D2ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IGLT65

Tipo di package

PG-HDSOP-16

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.14Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Dissipazione di potenza massima Pd

55W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto TOLT raffreddato dall'alto, è progettato per una dissipazione di potenza ottimale in varie applicazioni industriali.

Transistor di potenza e-mode da 650 V

Commutazione ultraveloce

Nessuna carica di recupero inversa

Capacità di conduzione inversa

Bassa carica di gate, bassa carica di uscita

Robustezza di commutazione superiore

Basso valore dinamico di RDS(on)

Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Pacchetto raffreddato sul lato superiore

Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.