MOSFET Infineon, canale N Miglioramento, 24 Pin, DSO, Foro passante 6ED2231S12TXUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-5812
Codice costruttore:
6ED2231S12TXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di package

DSO

Serie

EiceDRIVER

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

24

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Tensione diretta Vf

900mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

17.9mm

Altezza

2.65mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

7.5mm

Standard automobilistico

No

Il driver gate IGBT o MOSFET SiC ad alta tensione, alta velocità di potenza Infineon con tre canali di uscita indipendenti con riferimento lato alto e lato basso per applicazioni trifase.

Tecnologia SOI a film sottile Infineon

Diodo di bootstrap ultra rapido integrato

Progettato per canale flottante

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