Driver gate MOSFET 2EDN8533RXTMA1, 5 A, 20V, TSSOP, 8-Pin

I circuiti integrati gate driver low-side a 5 A a doppio canale Infineon con bassa resistenza di uscita e un'eccellente precisione di temporizzazione, la famiglia 2EDN è disponibile in contenitori DSO, TSSOP e WSON a 8 pin, nonché in un contenitore SOT23 a 6 pin piccolo e versatile, elevata capacità di corrente di uscita insieme al bloccaggio della tensione di uscita attiva, specifiche di fasatura strette,
E tempi di avvio e spegnimento ottimizzati, rendono la famiglia 2EDN la prima scelta per molte applicazioni di commutazione rapida e il bloccaggio dell'uscita attiva riduce il tempo di avvio dei progetti con fascette.

Correnti source/sink ±5 A.
ritardo di propagazione 19 ns
precisione del ritardo di propagazione +6/-4 ns
tempo di avvio uscita 1,8 μs
tempo di spegnimento in uscita 500 ns
Bloccaggio tensione di uscita attiva
Robustezza ingresso -12 V.
Resistenza a corrente inversa 5 A.
Opzioni UVLO a 4 V e 8 V.
Completamente qualificato per le applicazioni industriali in conformità a JEDEC