Renesas Electronics No Modulo Driver gate Mezzo ponte, 2 A 2, SOIC, 8 Pin 14 V
- Codice RS:
- 256-1547
- Codice costruttore:
- HIP2100IBZT7A
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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- Codice RS:
- 256-1547
- Codice costruttore:
- HIP2100IBZT7A
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli Prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 2A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 10ns | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tipo di driver | Mezzo ponte | |
| Tempo di salita | 10ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 9V | |
| Tensione massima di alimentazione | 14V | |
| Numero driver | 2 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | HIP2100 | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Tipo montaggio | Scheda | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 2A | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 10ns | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tipo di driver Mezzo ponte | ||
Tempo di salita 10ns | ||
Tensione minima di alimentazione 9V | ||
Tensione massima di alimentazione 14V | ||
Numero driver 2 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Larghezza 4 mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie HIP2100 | ||
Altezza 1.75mm | ||
Tipo montaggio Scheda | ||
Standard automobilistico No | ||
Il driver a mezzo ponte Renesas è un IC driver MOSFET di potenza a canale N a mezzo ponte ad alta frequenza da 100 V. I driver gate low-side e high-side sono controllati in modo indipendente e abbinati a 8 ns. Ciò offre all'utente la massima flessibilità nella selezione del tempo morto e nel protocollo del driver. La protezione contro la sottotensione su entrambe le alimentazioni low-side e high-side costringe le uscite a scendere in basso. Un diodo on-chip elimina il diodo discreto richiesto con altri IC driver. Una nuova topologia di commutazione di livello offre i vantaggi di bassa potenza del funzionamento a impulsi con la sicurezza del funzionamento c.c. A differenza di alcuni concorrenti, l'uscita high-side ritorna al suo stato corretto dopo una sottotensione momentanea dell'alimentazione high-side.
Aziona un MOSFET a canale N half-bridge
senza piombo (conforme a RoHS)
Tensione di alimentazione max bootstrap a 114 V
COn-chip diodo
bootstrap da 1 Ω Tempi di propagazione rapidi per circuiti multi-MHz
Aziona un carico di 1000 pF con tempi di salita e caduta tipici di 10 ns
soglie di ingresso CMOS per una migliore immunità
al rumore Basso consumo
energetico Ampia
gamma di alimentazione Protezione da sottotensione
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