Renesas Electronics No Modulo Driver gate Mezzo ponte, 4 A 2, TDFN, 10 Pin 18 V

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Codice RS:
250-6590
Codice costruttore:
HIP2210FRTZ-T7A
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

Modulo Driver gate

Corrente di uscita

4A

Numero pin

10

Tempo di discesa

365ns

Tipo di package

TDFN

Numero di uscite

2

Tipo di driver

Mezzo ponte

Tempo di salita

435ns

Tensione minima di alimentazione

6V

Numero driver

2

Tensione massima di alimentazione

18V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Serie

HIP2210

Lunghezza

3.80mm

Larghezza

3 mm

Altezza

0.75mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Il driver FET NMOS half-bridge ad alta frequenza da 100 V, 3 A di sorgente e 4 A di dissipatore Renesas appartiene alla serie HIP2210. Questo driver ha una configurazione a 10 pin. È dotato di un ingresso PWM a tre livelli con tempo morto programmabile. L'ampia gamma di alimentazione operativa da 6 V a 18 V e il diodo bootstrap high-side integrato supportano l'azionamento degli NMOS high-side e low-side in applicazioni half-bridge da 100 V.

La tensione massima di alimentazione bootstrap da 115 V c.c. supporta 100 V sul mezzo ponte.

Ritardo di propagazione rapido e corrispondenza: ritardo tipico di 15 ns, corrispondenza tipica di 2 ns (HIP2211)

Diodo bootstrap tipico integrato da 0,5 Ω

Ampia gamma di tensioni d'esercizio da 6 V a 18 V

VVDD e blocco di sottotensione di avvio (UVLO)

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