Renesas Electronics No Modulo Driver gate HIP2210FRTZ MOSFET, 1.69 mA, SOIC, 10 Pin 100 V
- Codice RS:
- 264-3550
- Codice costruttore:
- HIP2210FRTZ
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,632 € | 8,16 € |
| 25 - 45 | 1,392 € | 6,96 € |
| 50 - 95 | 1,366 € | 6,83 € |
| 100 - 245 | 1,174 € | 5,87 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-3550
- Codice costruttore:
- HIP2210FRTZ
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli Prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 1.69mA | |
| Numero pin | 10 | |
| Tempo di discesa | 790ns | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tempo di salita | 20ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 100V | |
| Tensione massima di alimentazione | 100V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Serie | HIP2210 | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 1.69mA | ||
Numero pin 10 | ||
Tempo di discesa 790ns | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tempo di salita 20ns | ||
Tensione minima di alimentazione 100V | ||
Tensione massima di alimentazione 100V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 4 mm | ||
Serie HIP2210 | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
I driver NMOS FET a mezzo ponte ad alta frequenza di Renesas Electronics. Si tratta di un ingresso PWM a tre livelli con tempo morto programmabile. L'ampia gamma di alimentazione operativa da 6 V a
Il bootstrap high-side da 18 V e integrato supporta i diodi per l'azionamento di NMOS high-side e low-side in applicazioni half-bridge da 100 V.
Diodo bootstrap da 0,5 Ω integrato
Robusta tolleranza al rumore
Blocco da sottotensione di avvio e VDD
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