Renesas Electronics No Modulo Driver gate MOSFET, 1.69 mA, SOIC, 10 Pin 100 V

Bulk discount available

Subtotal (1 tube of 750 units)*

1032,75 €

(exc. VAT)

1260,00 €

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 04 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Units
Per unit
Per Tube*
750 - 22501,377 €1.032,75 €
3000 +1,338 €1.003,50 €

*price indicative

RS Stock No.:
264-3549
Mfr. Part No.:
HIP2210FRTZ
Brand:
Renesas Electronics
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

Modulo Driver gate

Corrente di uscita

1.69mA

Numero pin

10

Tempo di discesa

790ns

Tipo di package

SOIC

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

20ns

Tensione minima di alimentazione

100V

Tensione massima di alimentazione

100V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Altezza

1.75mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

HIP2210

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

I driver NMOS FET a mezzo ponte ad alta frequenza di Renesas Electronics. Si tratta di un ingresso PWM a tre livelli con tempo morto programmabile. L'ampia gamma di alimentazione operativa da 6 V a

Il bootstrap high-side da 18 V e integrato supporta i diodi per l'azionamento di NMOS high-side e low-side in applicazioni half-bridge da 100 V.

Diodo bootstrap da 0,5 Ω integrato

Robusta tolleranza al rumore

Blocco da sottotensione di avvio e VDD

Related links