Renesas Electronics Modulo Driver gate HIP2210FRTZ MOSFET, 1.69 mA, SOIC, 10 Pin 100 V

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Codice RS:
264-3549
Codice costruttore:
HIP2210FRTZ
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

Modulo Driver gate

Corrente di uscita

1.69mA

Numero pin

10

Tempo di discesa

790ns

Tipo di package

SOIC

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

20ns

Tensione minima di alimentazione

100V

Tensione massima di alimentazione

100V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4 mm

Serie

HIP2210

Lunghezza

5mm

Altezza

1.75mm

Standard automobilistico

No

I driver NMOS FET a mezzo ponte ad alta frequenza di Renesas Electronics. Si tratta di un ingresso PWM a tre livelli con tempo morto programmabile. L'ampia gamma di alimentazione operativa da 6 V a

Il bootstrap high-side da 18 V e integrato supporta i diodi per l'azionamento di NMOS high-side e low-side in applicazioni half-bridge da 100 V.

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