Renesas Electronics Modulo Driver gate HIP2101EIBZ MOSFET, 3 A, SOIC, 8 Pin 100 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-0589
Codice costruttore:
HIP2101EIBZ
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

Modulo Driver gate

Corrente di uscita

3A

Numero pin

8

Tempo di discesa

10ns

Tipo di package

SOIC

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

10ns

Tensione minima di alimentazione

100V

Tensione massima di alimentazione

100V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Serie

HIP2101

Altezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.98 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il driver gate Renesas Electronics è un driver FET NMOS half-bridge ad alta frequenza con un ingresso PWM a tre livelli con un alimentatore di funzionamento e polarizzazione bootstrap high-side integrata, supporta l'azionamento di NMOS high-side e low-side in applicazioni half-bridge.

Il tempo morto programmabile evita l'impulso

Convertitore bidirezionale

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