Renesas Electronics No Modulo Driver gate HIP2210FRTZ-T7A Mezzo ponte, 4 A 2, TDFN, 10 Pin 18 V
- Codice RS:
- 250-6591
- Codice costruttore:
- HIP2210FRTZ-T7A
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 250-6591
- Codice costruttore:
- HIP2210FRTZ-T7A
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli Prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 4A | |
| Numero pin | 10 | |
| Tipo di package | TDFN | |
| Tempo di discesa | 365ns | |
| Tipo di driver | Mezzo ponte | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tempo di salita | 435ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 6V | |
| Numero driver | 2 | |
| Tensione massima di alimentazione | 18V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Serie | HIP2210 | |
| Larghezza | 3 mm | |
| Lunghezza | 3.80mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 4A | ||
Numero pin 10 | ||
Tipo di package TDFN | ||
Tempo di discesa 365ns | ||
Tipo di driver Mezzo ponte | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tempo di salita 435ns | ||
Tensione minima di alimentazione 6V | ||
Numero driver 2 | ||
Tensione massima di alimentazione 18V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Altezza 0.75mm | ||
Serie HIP2210 | ||
Larghezza 3 mm | ||
Lunghezza 3.80mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
Il driver FET NMOS half-bridge ad alta frequenza da 100 V, 3 A di sorgente e 4 A di dissipatore Renesas appartiene alla serie HIP2210. Questo driver ha una configurazione a 10 pin. È dotato di un ingresso PWM a tre livelli con tempo morto programmabile. L'ampia gamma di alimentazione operativa da 6 V a 18 V e il diodo bootstrap high-side integrato supportano l'azionamento degli NMOS high-side e low-side in applicazioni half-bridge da 100 V.
La tensione massima di alimentazione bootstrap da 115 V c.c. supporta 100 V sul mezzo ponte.
Ritardo di propagazione rapido e corrispondenza: ritardo tipico di 15 ns, corrispondenza tipica di 2 ns (HIP2211)
Diodo bootstrap tipico integrato da 0,5 Ω
Ampia gamma di tensioni d'esercizio da 6 V a 18 V
VVDD e blocco di sottotensione di avvio (UVLO)
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