Infineon No Gate driver IRS21091SPBF Driver gate, 600 mA, SOIC, 8 Pin 600 V
- Codice RS:
- 257-5794
- Codice costruttore:
- IRS21091SPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,876 € | 9,38 € |
| 50 - 120 | 1,594 € | 7,97 € |
| 125 - 245 | 1,50 € | 7,50 € |
| 250 - 495 | 1,388 € | 6,94 € |
| 500 + | 1,296 € | 6,48 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-5794
- Codice costruttore:
- IRS21091SPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Gate driver | |
| Corrente di uscita | 600mA | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tempo di discesa | 35ns | |
| Tipo di driver | Driver gate | |
| Tempo di salita | 220ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 10V | |
| Tensione massima di alimentazione | 600V | |
| Minima temperatura operativa | -50°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | IRS | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Gate driver | ||
Corrente di uscita 600mA | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tempo di discesa 35ns | ||
Tipo di driver Driver gate | ||
Tempo di salita 220ns | ||
Tensione minima di alimentazione 10V | ||
Tensione massima di alimentazione 600V | ||
Minima temperatura operativa -50°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie IRS | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
I driver a semiponte Infineon sono driver per MOSFET e IGBT di potenza ad alta tensione e ad alta velocità, con canali di uscita dipendenti riferiti al lato alto e basso. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio tampone ad alta corrente di impulso progettato per ridurre al minimo la conduzione incrociata del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per pilotare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side, che funziona fino a 600 V.
Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap
Completamente operativo fino a +600 V
Tollerante alle tensioni transitorie negative, immune a dV/dt
Blocco sottotensione per entrambi i canali
Logica di prevenzione della conduzione incrociata
Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
Uscita high-side in fase con ingresso IN
Driver gate di di/dt inferiore per una migliore immunità al rumore
L'ingresso DT/SD a doppia funzione disattiva entrambi i canali
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