Infineon Gate driver IRS2181SPBF Lato alto, 2.3 A, SOIC, 8 Pin 600 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-5862
Codice costruttore:
IRS2181SPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Gate driver

Corrente di uscita

2.3A

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Tempo di discesa

20ns

Tipo di driver

Lato alto

Tempo di salita

60ns

Tensione minima di alimentazione

10V

Tensione massima di alimentazione

600V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

IRS

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

I driver Infineon high side e low side sono driver per MOSFET e IGBT di potenza ad alta tensione e alta velocità con canali di uscita indipendenti riferiti al lato alto e basso. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio tampone ad alta corrente di impulso progettato per ridurre al minimo la conduzione incrociata del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side che funziona fino a 600 V.

Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap

Completamente operativo fino a +600 V

Tollerante alle tensioni transitorie negative, immune a dV/dt

Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 V a 20 V

Blocco sottotensione per entrambi i canali

Compatibile con logica di ingresso 33 V e 5 V

Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali

Messa a terra logica e di potenza +/- 5 V offset

Driver gate di di/dt inferiore per una migliore immunità al rumore

Sorgente di uscita/corrente di dissipazione 14 A/18 A

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