Infineon No Modulo Driver gate Mezzo ponte, 420 mA, SOIC, 8 Pin 600 V
- Codice RS:
- 258-3930
- Codice costruttore:
- IR2111STRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1545,00 €
(IVA esclusa)
1885,00 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,618 € | 1.545,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3930
- Codice costruttore:
- IR2111STRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 420mA | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 40ns | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo di driver | Mezzo ponte | |
| Tempo di salita | 130ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 10V | |
| Tensione massima di alimentazione | 600V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | IR2111(S) & (PbF) | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 420mA | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 40ns | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo di driver Mezzo ponte | ||
Tempo di salita 130ns | ||
Tensione minima di alimentazione 10V | ||
Tensione massima di alimentazione 600V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie IR2111(S) & (PbF) | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il driver half-bridge Infineon è un driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e alta tensione con canali di uscita con riferimento lato alto e basso dipendenti progettati per applicazioni half-bridge. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con le uscite CMOS standard. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il tempo morto interno è fornito per evitare il passaggio attraverso il mezzo ponte di uscita. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high side che funziona fino a 600 volt.
Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 a 20 V
Blocco sottotensione per entrambi i canali
Ingressi con attivazione Schmitt CMOS con pull-down
Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
Tempo morto impostato internamente
Uscita laterale elevata in fase con ingresso
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