Modulo Driver gate IR2111STRPBF, CMOS, SOIC 8N, 8-Pin

Il driver half-bridge Infineon è un driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e alta tensione con canali di uscita con riferimento lato alto e basso dipendenti progettati per applicazioni half-bridge. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con le uscite CMOS standard. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il tempo morto interno è fornito per evitare il passaggio attraverso il mezzo ponte di uscita. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high side che funziona fino a 600 volt.

Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 a 20 V
Blocco sottotensione per entrambi i canali
Ingressi con attivazione Schmitt CMOS con pull-down
Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
Tempo morto impostato internamente
Uscita laterale elevata in fase con ingresso