Driver gate MOSFET UCC27424D, CMOS, TTL, 4 A, 15V, SOIC, 8-Pin

Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in grado di fornire uscite di corrente elevata idonee compatibili con i requisiti di funzionamento di dispositivi di potenza IGBT e MOSFET e sono disponibili in una varietà di configurazioni e tipi di contenitore.

La famiglia UCC27424 Texas Instruments di driver MOSFET doppi ad alta velocità è in grado di erogare grandi correnti di Peak in carichi capacitivi. Sono disponibili tre opzioni logiche standard: Driver doppio invertente, doppio non invertente, uno invertente e uno non invertente. LA POWER PAD a 8 pin termicamente avanzata™ contenitore MSOP (DGN) riduce drasticamente la resistenza termica per migliorare l'affidabilità a lungo termine. È disponibile anche nei contenitori standard SOIC-8 (D) o PDIP-8 (P).

Piedinatura standard industriale
Abilitare le funzioni per ciascun conducente
Elevata capacità di pilotaggio della corrente di ±4 A
Esclusiva uscita bipolare e CMOS True Drive
Lo stadio fornisce corrente elevata a Miller
Soglie
Ingressi compatibili TTL/CMOS indipendenti da
Tensione di alimentazione
Tempi di salita tipici di 20 ns e di discesa tipici di 15 ns
Con carico di 1,8-nF
Tempi di ritardo di propagazione tipici di 25 ns con
Caduta di ingresso e 35 ns con aumento di ingresso
Tensione di alimentazione da 4 V a 15 V.
Le uscite doppie possono essere collegate in parallelo per un'unità superiore
Corrente
Disponibile in MSOP termicamente Enhanced
Power PAD™ pacchetto
Valore nominale da -40 °C a 125 °C.

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, Texas Instruments