Gate logico Dual AND Toshiba, 2 V → 6 V, 14 Pin, SOIC
- Codice RS:
- 171-3385
- Codice costruttore:
- 74HC21D
- Costruttore:
- Toshiba
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- Codice RS:
- 171-3385
- Codice costruttore:
- 74HC21D
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Funzione logica | AND | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero di elementi | 2 | |
| Number of Inputs per Gate | 4 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 14 | |
| Famiglia logica | 74HC | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 6 V | |
| Corrente massima di uscita ad alto livello | -5.2mA | |
| Ritardo di propagazione massimo @ CL max | 125 ns @ 50 pF | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2 V | |
| Corrente massima di uscita a basso livello | 5.2mA | |
| Condizioni di test ritardo di propagazione | 50pF | |
| Tipo di uscita | Buffer, CMOS | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Dimensioni | 8.95 x 3.9 x 1.38mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Altezza | 1.38mm | |
| Larghezza | 3.9mm | |
| Lunghezza | 8.95mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Funzione logica AND | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero di elementi 2 | ||
Number of Inputs per Gate 4 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 14 | ||
Famiglia logica 74HC | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 6 V | ||
Corrente massima di uscita ad alto livello -5.2mA | ||
Ritardo di propagazione massimo @ CL max 125 ns @ 50 pF | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2 V | ||
Corrente massima di uscita a basso livello 5.2mA | ||
Condizioni di test ritardo di propagazione 50pF | ||
Tipo di uscita Buffer, CMOS | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Dimensioni 8.95 x 3.9 x 1.38mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Altezza 1.38mm | ||
Larghezza 3.9mm | ||
Lunghezza 8.95mm | ||
Il 74HC21D è un GATE AND A 4 INGRESSI CMOS ad alta velocità fabbricato con tecnologia C2MOS con gate in silicio. Ottiene un funzionamento ad alta velocità simile allequivalente LSTTL, mantenendo al contempo la bassa dissipazione di potenza del CMOS. Il circuito interno è composto da 4 stadi, tra cui unuscita buffer, che garantiscono un'elevata immunità al rumore e unuscita stabile. Tutti gli ingressi sono dotati di circuiti di protezione contro le scariche elettrostatiche o le tensioni transienti eccessive
Alta velocità: tpd = 10 ns (tip.) in VCC = 5 V
Bassa dissipazione di potenza: ICC = 1 μA (max) Ta = 25
Ritardi di propagazione bilanciati: tPLH ≈ tPHL
Ampia gamma di tensione di esercizio: VCC(opr) = da 2 a 6,0 V
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