SSD Samsung Interno 4 TB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe

Una gamma di amplificatori operazionali di precisione di Texas Instruments caratterizzata da una tensione di offset di ingresso bassa e da una bassa deviazione della tensione di offset col variare della temperatura. Questi dispositivi presentano caratteristiche operative stabili e prevedibili, essenziali in molte applicazioni impegnative. I tipi di ingresso CMOS e JFET hanno inoltre correnti di polarizzazione di ingresso estremamente basse, il che li rende ideali per l'uso in circuiti in cui sono richiesti valori di resistenza elevati.

L'unità SSD Samsung offre una velocità spettacolare per tutti i giorni, con velocità di lettura/scrittura sequenziale fino a 7.250/6.300 MB/s-45% in più rispetto alla 990 EVO. Dotato della più recente tecnologia NAND e del rapido Intelligent TurboWrite 2.0, garantisce trasferimenti istantanei di file di grandi dimensioni. Con un aumento del 73% dell'efficienza energetica, offre più MB/s per watt mantenendo prestazioni e controllo termico di alto livello. Perfetta per affrontare al meglio le attività, questa unità SSD è costruita per garantire velocità, efficienza e affidabilità.

Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician garantiscono le migliori prestazioni dell'SSD
5 anni di garanzia limitata
Crittografia AES a 256 bit
Supporto della modalità di sospensione del dispositivo