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    Modulo IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 160 A, canale N, Y4 M5

    IXYS
    Codice RS:
    194-401
    Codice costruttore:
    MID145-12A3
    Costruttore:
    IXYS
    Visualizza IGBT
    Prodotto non a stock - disponibile 17/09/2024, consegna il giorno successivo per ordini effettuati entro le 19:00
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    2 - 4€ 56,62
    5 - 9€ 55,16
    10 - 19€ 53,70
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    194-401
    Codice costruttore:
    MID145-12A3
    Costruttore:
    IXYS

    Normative


    Dettagli prodotto

    Moduli IGBT, IXYS



    IGBT discreti e modulari, IXYS


    Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

    Specifiche

    AttributoValore
    Corrente massima continuativa collettore160 A
    Tensione massima collettore emitter1200 V
    Tensione massima gate emitter±20V
    Tipo di packageY4 M5
    ConfigurazioneSingle
    Tipo di montaggioMontaggio a pannello
    Tipo di canaleN
    Numero pin7
    Configurazione transistorSingolo
    Dimensioni94 x 34 x 30mm
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Minima temperatura operativa-40 °C

    Prodotto non a stock - disponibile 17/09/2024, consegna il giorno successivo per ordini effettuati entro le 19:00
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