IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 12 A, canale N, TO-252GE

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
265-325P
Codice costruttore:
RGT8BM65DGTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Corrente massima continuativa collettore

12 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±30V

Dissipazione di potenza massima

62 W

Numero di transistor

1

Configurazione

Single

Tipo di package

TO-252GE

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Gli IGBT ROHM contribuiscono al risparmio energetico, all'alta efficienza e a un'ampia gamma di applicazioni ad alta tensione e corrente. L'IGBT è caratterizzato da una bassa tensione di saturazione da collettore a emettitore, che lo rende altamente efficiente per varie applicazioni. Offre un tempo di resistenza al cortocircuito di 5 microsecondi, garantendo prestazioni robuste in condizioni di guasto. Inoltre, è dotato di un diodo di recupero rapido e morbido incorporato della serie RFN.

Bassa perdita di commutazione
Piombatura senza Pb
Conformità RoHS

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