IGBT onsemi NFAM3065L4BL, VCE 650 V, IC 30 A Trifase, canale N, DIP-39, 39 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 277-038P
- Codice costruttore:
- NFAM3065L4BL
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 277-038P
- Codice costruttore:
- NFAM3065L4BL
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 30A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 113W | |
| Numero transistor | 6 | |
| Configurazione | Trifase | |
| Tipo di package | DIP-39 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 39 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 31mm | |
| Lunghezza | 54.5mm | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | |
| Altezza | 5.6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 30A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 113W | ||
Numero transistor 6 | ||
Configurazione Trifase | ||
Tipo di package DIP-39 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 39 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 31mm | ||
Lunghezza 54.5mm | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | ||
Altezza 5.6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- VN
Il modulo di potenza inverter integrato di ON Semiconductor è dotato di un gate driver high-side, di un LVIC, di sei IGBT e di un sensore di temperatura (VTS), che lo rendono ideale per il pilotaggio di motori asincroni PMSM, BLDC e CA. Gli IGBT sono disposti in un ponte trifase con connessioni di emettitore separate per le gambe inferiori, consentendo la massima flessibilità nella selezione dell'algoritmo di controllo.
Interfaccia logica attiva
Protezione da sottotensione incorporata
Diodi e resistenze di bootstrap integrati
Connessioni separate dell'emettitore dell'IGBT lato basso per il rilevamento individuale della corrente di ciascuna fase