IGBT Infineon IGQ120N120S7XKSA1, VCE 1200 V, IC 216 A, canale Tipo N, PG-TO-247-3-PLUS-N, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-978
Codice costruttore:
IGQ120N120S7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

216A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

1kW

Tipo di package

PG-TO-247-3-PLUS-N

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

15.9 mm

Lunghezza

20.1mm

Standard/Approvazioni

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Altezza

5.1mm

Standard automobilistico

No

L'IGBT Infineon è un semiconduttore di potenza all'avanguardia progettato per applicazioni ad alte prestazioni. Con la sua tecnologia a trincea avanzata, questo IGBT offre un'eccezionale robustezza e affidabilità. In grado di resistere a cortocircuiti fino a 8 microsecondi, è progettato per ambienti difficili come alimentatori industriali e sistemi di energia rinnovabile. Il dispositivo funziona a una tensione di emissione del collettore fino a 1200 V e supporta correnti di collettore continue di 120 A. Le prestazioni termiche migliorate si ottengono grazie alla bassa resistenza termica, il che lo rende un favorito tra gli ingegneri che cercano efficienza e prestazioni nei loro progetti.

Ottimizzato per un'elevata dissipazione termica

Gestisce in modo affidabile i cortocircuiti brevi

Ampia controllabilità dv/dt per una maggiore flessibilità

Conforme agli standard industriali per una maggiore robustezza

Fornisce una bassa tensione di saturazione per una maggiore efficienza

Offre uno spettro di modelli per le applicazioni