IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 84 A, HU3PAK

Questo dispositivo della STMicroelectronics è un IGBT sviluppato utilizzando un'avanzata struttura proprietaria trench gate fieldtop. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra le prestazioni e l'efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali. Inoltre, il coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo e la stretta distribuzione dei parametri rendono più sicuro il funzionamento in parallelo.

Temperatura massima di giunzione TJ = 175 °C
6 μs di tempo minimo di resistenza al cortocircuito
Distribuzione stretta dei parametri
Parallelo più sicuro
Bassa resistenza termica
Diodo antiparallelo a recupero morbido e molto rapido
Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin kelvin di pilotaggio supplementare