IGBT discreto Microchip APT25GP120BSC15, VCE 1200 V, IC 69 A, canale Canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
838-597
Codice costruttore:
APT25GP120BSC15
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Corrente massima continua collettore Ic

69A

Tipo prodotto

IGBT discreto

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

417W

Numero transistor

1

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Canale N

Numero pin

3

Lunghezza

41.78mm

Larghezza

16.26mm

Altezza

5.31mm

Standard/Approvazioni

JEDC

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
L'IGBT Punch Through di Microchip integra un transistor Power MOS 7 ad alte prestazioni da 1200 V e 25 A con un diodo Schottky antiparallelo in carburo di silicio.

Tensione nominale massima collettore-emettitore 1200 V

Tecnologia Power MOS 7 punch-through avanzata

Diodo Schottky antiparallelo SiC integrato

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