IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247

Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.

IGBT discreto, ON Semiconductor

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.