IGBT Renesas Electronics, VCE 650 V, IC 100 A, canale N, TO-247A
- Codice RS:
- 124-0907P
- Codice costruttore:
- RJH65D27BDPQ-A0#T2
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 124-0907P
- Codice costruttore:
- RJH65D27BDPQ-A0#T2
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Corrente massima continuativa collettore | 100 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±30V | |
| Dissipazione di potenza massima | 375 W | |
| Tipo di package | TO-247A | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 15.94 x 5.02 x 21.13mm | |
| Capacità del gate | 2850pF | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Corrente massima continuativa collettore 100 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±30V | ||
Dissipazione di potenza massima 375 W | ||
Tipo di package TO-247A | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 15.94 x 5.02 x 21.13mm | ||
Capacità del gate 2850pF | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
- Paese di origine:
- CN