IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
145-8726
Codice costruttore:
IKW40N60H3FKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

306W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

227ns

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.5V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC

Serie

TrenchStop

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

2.12mJ

Paese di origine:
CN

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V


Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.

• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V

• VCEsat molto bassa

• Poche perdite di spegnimento

• Bassa corrente di coda

• EMI ridotte

• Temperatura di giunzione massima: 175 °C

IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati