IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, canale P, TO-247

Rispondendo alla domanda del mercato di prodotti discreti ad alta densità di potenza e con prestazioni più elevate, Infineon introduce il nuovo contenitore a 4 pin TO-247PLUS con emettitore Kelvin per IGBT da 1200 V. Maggiore capacità di corrente, comportamento termico migliorato, estesa dispersione C-E: queste sono le caratteristiche principali del contenitore TO-247PLUS. La configurazione del contenitore a 4 pin eroga induttanza ultra-bassa al circuito di controllo dell’emettitore gate con il contenitore a 4 pin direttamente al driver per gate e consente la riduzione di perdite E on e E off, per un totale del 20% sulle perdite di commutazione totali.

Anello di controllo con induttanza estremamente ridotta, pin emettitore extra per feedback del driver
Riduzione del 20% nelle perdite totali di commutazione rispetto al contenitore a 3 pin che impiega la stessa tecnologia
IGBT fino a 75 A 1200 V confezionato con un diodo da 75 A nell’ingombro TO-247
Massima efficienza con IGBT da 1200 V a perdite di commutazione minime
IGBT discreti di 1200 V a elevata densità di potenza
Bassa resistenza termica