IGBT STMicroelectronics, VCE 450 V, IC 25 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 164-7013P
- Codice costruttore:
- STGB20N45LZAG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 164-7013P
- Codice costruttore:
- STGB20N45LZAG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 25A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 450V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 8.4μs | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.55V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 16 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Larghezza | 9.35 mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Serie | Automotive Grade | |
| Classificazione energetica | 300mJ | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 25A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 450V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 8.4μs | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.55V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 16 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Altezza 4.6mm | ||
Larghezza 9.35 mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Serie Automotive Grade | ||
Classificazione energetica 300mJ | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Questo IGBT specifico per ogni applicazione utilizza la tecnologia PowerMESH™ più avanzata ottimizzata per l'azionamento delle bobine negli ambienti difficili dei sistemi di accensione automobilistici. Questi dispositivi mostrano una tensione molto bassa in stato attivo e un'altissima capacità di energia CSI su un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Inoltre, lingresso gate di livello logico con protezione ESD e una resistenza gate integrata rendono superflui i circuiti di protezione esterna
Energia SCIS di 300 mJ a Tj = 25 °C
Le parti sono testate al 100% in SCIS
Protezione emettitore gate ESD
Bloccaggio ad alta tensione collettore gate
Stadio pilota livello logico
Tensione di saturazione molto bassa
Capacità di corrente di impulso elevata
Resistenza gate ed emettitore gate
