IGBT STMicroelectronics, VCE 475 V, IC 25 A, canale N, DPAK
- Codice RS:
- 164-7025P
- Codice costruttore:
- STGD20N45LZAG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 25 - 45 | 1,63 € |
| 50 - 120 | 1,466 € |
| 125 - 245 | 1,32 € |
| 250 + | 1,252 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 164-7025P
- Codice costruttore:
- STGD20N45LZAG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continuativa collettore | 25 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 475 V | |
| Tensione massima gate emitter | 16V | |
| Dissipazione di potenza massima | 125 W | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Tipo di package | DPAK | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 6.6 x 2.4 x 6.2mm | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q101 | |
| Classe di efficienza energetica | 300mJ | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Capacità del gate | 1011pF | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continuativa collettore 25 A | ||
Tensione massima collettore emitter 475 V | ||
Tensione massima gate emitter 16V | ||
Dissipazione di potenza massima 125 W | ||
Numero di transistor 1 | ||
Tipo di package DPAK | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 6.6 x 2.4 x 6.2mm | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q101 | ||
Classe di efficienza energetica 300mJ | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Capacità del gate 1011pF | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Questo IGBT specifico per ogni applicazione utilizza la tecnologia PowerMESH™ più avanzata ottimizzata per l'azionamento delle bobine negli ambienti difficili dei sistemi di accensione automobilistici. Questi dispositivi mostrano una tensione molto bassa in stato attivo e un'altissima capacità di energia CSI su un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Inoltre, l’ingresso gate di livello logico con protezione ESD e una resistenza gate integrata rendono superflui i circuiti di protezione esterna.
Energia SCIS di 300 mJ a Tj = 25 °C
Le parti sono testate al 100% in SCIS
Protezione emettitore gate ESD
Bloccaggio ad alta tensione collettore gate
Stadio pilota livello logico
Tensione di saturazione molto bassa
Capacità di corrente di impulso elevata
Resistenza gate ed emettitore gate
Le parti sono testate al 100% in SCIS
Protezione emettitore gate ESD
Bloccaggio ad alta tensione collettore gate
Stadio pilota livello logico
Tensione di saturazione molto bassa
Capacità di corrente di impulso elevata
Resistenza gate ed emettitore gate