IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-220

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Codice RS:
166-2176
Codice costruttore:
FGP20N60UFDTU
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

40 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

165 W

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

10.67 x 4.83 x 16.51mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Massima temperatura operativa

+150 °C

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor



Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.