IGBT Renesas Electronics, VCE 650 V, IC 60 A, canale P, TO-3PFP
- Codice RS:
- 168-2480P
- Codice costruttore:
- RJH65T04BDPM-A0#T2
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 168-2480P
- Codice costruttore:
- RJH65T04BDPM-A0#T2
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Corrente massima continuativa collettore | 60 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±30V | |
| Dissipazione di potenza massima | 65 W | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Tipo di package | TO-3PFP | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | P | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di switching | 1MHz | |
| Dimensioni | 15.5 x 5.5 x 26.5mm | |
| Capacità del gate | 1760pF | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Classe di efficienza energetica | 1.1mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Corrente massima continuativa collettore 60 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±30V | ||
Dissipazione di potenza massima 65 W | ||
Numero di transistor 1 | ||
Tipo di package TO-3PFP | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale P | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di switching 1MHz | ||
Dimensioni 15.5 x 5.5 x 26.5mm | ||
Capacità del gate 1760pF | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Classe di efficienza energetica 1.1mJ | ||
Serie di prodotti IGBT per correzione del fattore di potenza (PFC), gruppi di continuità, produzione di energia solare e applicazioni di saldatura, consigliati per frequenze da 50 a 100 kHz e non garantiti contro i cortocircuiti.
Bassa tensione di saturazione da collettore a emettitore
VCE(sat) = 1,5 V tip. (con IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25 °C)
Diodo a recupero rapido incorporato in un unico contenitore
Tecnologia Trench gate e wafer sottili
Commutazione ad alta velocità
Tf = 45 ns tip. (a VCC = 400 V VGE = 15 V, IC = 30 A, RG = 10 , Ta=25 °C, carico induttivo)
Frequenza di funzionamento (20 kHz ≤ f ˂ 40 kHz)
VCE(sat) = 1,5 V tip. (con IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25 °C)
Diodo a recupero rapido incorporato in un unico contenitore
Tecnologia Trench gate e wafer sottili
Commutazione ad alta velocità
Tf = 45 ns tip. (a VCC = 400 V VGE = 15 V, IC = 30 A, RG = 10 , Ta=25 °C, carico induttivo)
Frequenza di funzionamento (20 kHz ≤ f ˂ 40 kHz)