Modulo IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 160 A, canale N, Y4 M5
- Codice RS:
- 168-4496
- Codice costruttore:
- MID145-12A3
- Costruttore:
- IXYS
Non disponibile
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- Codice RS:
- 168-4496
- Codice costruttore:
- MID145-12A3
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Corrente massima continuativa collettore | 160 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Tipo di package | Y4 M5 | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a pannello | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 7 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 94 x 34 x 30mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Corrente massima continuativa collettore 160 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Tipo di package Y4 M5 | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di montaggio Montaggio a pannello | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 7 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 94 x 34 x 30mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Moduli IGBT, IXYS
IGBT discreti e modulari, IXYS
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.