IGBT IXYS, VCE 600 V, IC 100 A, canale Tipo N, TO-264, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 168-4587
- Codice costruttore:
- IXXK100N60C3H1
- Costruttore:
- IXYS
Prezzo per 1 tubo da 25 unità*
439,15 €
(IVA esclusa)
535,775 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 25 + | 17,566 € | 439,15 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-4587
- Codice costruttore:
- IXXK100N60C3H1
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 695W | |
| Tipo di package | TO-264 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 60kHz | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | Planar | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Classificazione energetica | 600mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 695W | ||
Tipo di package TO-264 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 60kHz | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie Planar | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Classificazione energetica 600mJ | ||
- Paese di origine:
- PH
IGBT Discreti, IXYS
IGBT discreti e modulari, IXYS
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.