IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P
- Codice RS:
- 168-7767
- Codice costruttore:
- GT50JR21
- Costruttore:
- Toshiba
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- Codice RS:
- 168-7767
- Codice costruttore:
- GT50JR21
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Corrente massima continuativa collettore | 50 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±25V | |
| Dissipazione di potenza massima | 230 W | |
| Tipo di package | TO-3P | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di switching | 1MHz | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 15.5 x 4.5 x 20mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Corrente massima continuativa collettore 50 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±25V | ||
Dissipazione di potenza massima 230 W | ||
Tipo di package TO-3P | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di switching 1MHz | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 15.5 x 4.5 x 20mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
- Paese di origine:
- JP
IGBT Discreti, Toshiba
IGBT discreti e moduli, Toshiba
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.