IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 29 A, canale Tipo N, TO-220FP, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
168-8877
Codice costruttore:
STGF10NB60SD
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

29A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

80W

Tipo di package

TO-220FP

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

3.8μs

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.75V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

Low Drop

Lunghezza

30.6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

8mJ

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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