IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 96 A, canale N, TO247AC

Questo IGBT è un transistor bipolare a gate isolato progettato per applicazioni di elettronica di potenza ad alte prestazioni. Con dimensioni compatte di 15,9 x 5,3 x 20,3 mm, il componente supporta una progettazione efficiente dei circuiti elettronici, gestendo al contempo carichi di corrente elevati. È ottimizzato per un uso affidabile in vari sistemi elettrici, garantendo una funzionalità robusta in condizioni difficili.

• Il basso valore di VCE(on) consente una conversione efficiente dell'energia
• Funziona con una tensione massima di 600 V
• Le basse perdite di commutazione migliorano l'efficienza complessiva del sistema
• Il diodo di recupero morbido ultraveloce migliora l'affidabilità delle prestazioni
• Prodotto progettato per alte temperature fino a 175°C per una maggiore durata

• Soluzione utilizzata per i controlli degli azionamenti dei motori e per gli inverter
• Soluzione ideale per i circuiti di alimentazione delle apparecchiature industriali
• Prodotto adatto per sistemi di energia rinnovabile come gli inverter solari
• Efficaci nell'automazione e nella robotica per una gestione efficiente dell'energia

L'IGBT può sostenere una corrente di collettore continua di 96 A, caratteristica che lo rende adatto ad applicazioni esigenti che richiedono un trasferimento di potenza significativo mantenendo l'efficienza.

Questo valore massimo di tensione assicura che il transistor possa funzionare efficacemente in applicazioni ad alta tensione, fornendo un margine sicuro per i picchi di tensione e le fluttuazioni nei sistemi elettronici di potenza.

Con una resistenza termica di 0,45°C/W, la dissipazione del calore è ottimizzata, consentendo un funzionamento stabile senza surriscaldamento, che aumenta l'affidabilità in caso di uso prolungato.

Sì, il suo design consente un'eccellente condivisione della corrente nel funzionamento in parallelo, che è fondamentale per le applicazioni a corrente elevata in cui possono essere utilizzati più dispositivi insieme.

Transistor IGBT, International Rectifier

International Rectifier offre un'ampia gamma di IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) che vanno da 300 V a 1200 V sulla base di varie tecnologie che riducono al minimo le perdite di conduzione e commutazione per aumentare l'efficienza, ridurre i problemi termici e migliorare la densità di potenza. Inoltre, l'azienda offre una vasta gamma di stampi IGBT progettati specificamente per i moduli di potenza medio-alta. Per i moduli che richiedono la massima affidabilità, possono essere impiegati stampi SFM (Solderable Front Metal) per eliminare i cavi e consentire il raffreddamento su due lati, al fine di migliorare le prestazioni termiche, l'affidabilità e l'efficienza.