IGBT Vishay SUM70060E-GE3, canale N, TO-263, 3 Pin Superficie

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Codice RS:
180-7419
Codice costruttore:
SUM70060E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

IGBT

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.414mm

Lunghezza

15.875mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

ThunderFET

Classificazione energetica

125mJ

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263-3 a canale N, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 5,6 MOhm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 375W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• componente senza alogeni e piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• alimentatori switching c.a./c.c.

• Gestione della batteria

Inverter c.c./c.a. da •

• convertitori c.c./c.c.

• Illuminazione

• interruttori di azionamento del motore

Raddrizzatore sincrono da •

• Alimentatori continui

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