IGBT Vishay SUM70060E-GE3

Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263-3 a canale N, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 5,6 MOhm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 375W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• componente senza alogeni e piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• alimentatori switching c.a./c.c.
• Gestione della batteria
Inverter c.c./c.a. da •
• convertitori c.c./c.c.
• Illuminazione
• interruttori di azionamento del motore
Raddrizzatore sincrono da •
• Alimentatori continui