IGBT Vishay SIHG47N60EF-GE3, canale N, TO-247AC, 3 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7913P
Codice costruttore:
SIHG47N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

IGBT

Dissipazione di potenza massima Pd

379W

Tipo di package

TO-247AC

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

15.87mm

Serie

EF

Lunghezza

16.25mm

Classificazione energetica

1500mJ

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il Vishay SIHG47N60EF è un MOSFET di potenza serie EF a canale N con diodo body rapido avente tensione drain-source (Vds) di 600V e tensione gate-source (VGS) 30V. Ha un contenitore TO-247AC. Offre una resistenza RDS (drain-source) di 0,065ohm a 10VGS. Massima corrente di drain 47A.

MOSFET a diodo rapido per corpo che utilizza la tecnologia serie E.

Trr, Qrr e IRRM ridotti

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

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