IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Name: IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247
Brand: onsemi
SKU: 185-8671P
Price: 3.18 EUR
Availability: InStock

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Attributo	Valore
Corrente massima continuativa collettore	80 A
Tensione massima collettore emitter	650 V
Tensione massima gate emitter	±20V
Dissipazione di potenza massima	267 W
Numero di transistor	1
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Tipo di canale	N
Numero pin	3
Configurazione transistor	Singolo
Dimensioni	15.87 x 4.82 x 20.82mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Massima temperatura operativa	+175 °C
Classe di efficienza energetica	51mJ
Capacità del gate	1518pF