IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, A

Questi dispositivi sono IGBT sviluppati utilizzando una struttura Advanced proprietaria trench gate e field-stop. Il dispositivo fa parte della nuova serie HB di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra perdite di conduzione e di commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Inoltre, un coefficiente di temperatura VCE(sat)leggermente positivo e una distribuzione molto stretta dei parametri danno come risultato un funzionamento in parallelo più sicuro.

Temperatura massima di giunzione: TJ= 175 °C.
Serie di commutazione ad alta velocità
Corrente di coda ridotta al minimo
VCE(sat)= 1,55 V (tip.) @ IC= 20 A.
Distribuzione dei parametri ridotta
Collegamento in parallelo sicuro
Bassa resistenza termica
Confezione senza piombo